Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:H
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MT47H512M4THN-25E:H
1616-MT47H512M4THN-25E:H
存储器
63-TFBGA
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IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
1最小包装量--
MT47H512M4THN-25E:H详情
Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
引脚数
63
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
基本部件号
MT47H512M4
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 512M x 4
端口的数量
1
电源电流
132mA
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
4b
组织结构
512MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
17b
密度
2 Gb
待机电流-最大值
0.014A
最高频率
800MHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H512M4THN-25E:H拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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