Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M
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MT47H512M4THN-25E:M
1616-MT47H512M4THN-25E:M
存储器
63-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 512Mx4 1.8V 63-Pin FBGA
1最小包装量--
MT47H512M4THN-25E:M详情
Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
附加功能
自我更新
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
JESD-30代码
R-PBGA-B63
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
2Gb 512M x 4
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512MX4
内存宽度
4
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
2 Gb
最高频率
400MHz
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MT47H512M4THN-25E:M拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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