Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E:C TR
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MT47H512M8WTR-25E:C TR
1616-MT47H512M8WTR-25E:C TR
存储器
63-TFBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA
1最小包装量--
MT47H512M8WTR-25E:C TR详情
Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
9 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
供应商器件包装
63-FBGA (9x11.5)
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~1.9V
基本部件号
MT47H512M8
内存大小
4Gb 512M x 8
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H512M8WTR-25E:C TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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