Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-3:C

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

63-TFBGA

引脚数

63

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C~85°C TC

包装

Tray

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

63

端子表面处理

哑光锡

电压 - 供电

1.7V~1.9V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

电源电压

1.8V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

MT47H512M8

工作电源电压

1.8V

内存大小

4Gb 512M x 8

时钟频率

333MHz

访问时间

450ps

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8b

组织结构

512MX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

地址总线宽度

18b

密度

4 Gb

最高频率

667MHz

I/O类型

COMMON

刷新周期

8192

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅