Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT:H
- 收藏
- 对比
MT47H64M16HR-25E IT:H
1616-MT47H64M16HR-25E IT:H
存储器
84-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
--最小包装量--
MT47H64M16HR-25E IT:H详情
Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E IT:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2010
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
MT47H64M16
引脚数量
84
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.007A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M16HR-25E IT:H拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。