Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT:H
- 收藏
- 对比
MT47H64M16HR-25E XIT:H
1616-MT47H64M16HR-25E XIT:H
存储器
84-TFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA
--最小包装量--
MT47H64M16HR-25E XIT:H详情
Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E XIT:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2014
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
自我更新
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H64M16
JESD-30代码
R-PBGA-B84
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
1073741824 bit
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M16HR-25E XIT:H拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。