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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥32.530663
10
¥30.689307
100
¥28.952172
500
¥27.313374
1000
¥25.767334
Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E:M TR
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- 对比
MT47H64M16NF-25E:M TR
1616-MT47H64M16NF-25E:M TR
存储器
84-TFBGA
大陆
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MT47H64M16NF-25E:M TR详情
Micron Technology Inc. MT47H64M16NF-25E:M TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~85°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q100
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
自我更新
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
1073741824 bit
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M16NF-25E:M TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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