Micron Technology Inc. MT47H64M8JN-25E IT:G
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MT47H64M8JN-25E IT:G
1616-MT47H64M8JN-25E IT:G
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
--最小包装量--
MT47H64M8JN-25E IT:G详情
Micron Technology Inc. MT47H64M8JN-25E IT:G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Bulk
已出版
2012
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅银
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H64M8
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.007A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M8JN-25E IT:G拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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