Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AAT:H
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MT47H64M8SH-25E AAT:H
1616-MT47H64M8SH-25E AAT:H
存储器
60-TFBGA
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IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
--最小包装量--
MT47H64M8SH-25E AAT:H详情
Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E AAT:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
终止次数
60
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B60
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
536870912 bit
筛选水平
AEC-Q100
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
符合RoHS标准
MT47H64M8SH-25E AAT:H拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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