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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥178.101128
10
¥168.019933
100
¥158.50937
500
¥149.537142
1000
¥141.072776
Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E IT:H
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- 对比
MT47H64M8SH-25E IT:H
1616-MT47H64M8SH-25E IT:H
存储器
60-TFBGA
大陆
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MT47H64M8SH-25E IT:H详情
Micron Technology Inc. MT47H64M8SH-25E IT:H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Bulk
已出版
2014
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
MT47H64M8
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.01A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
10mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT47H64M8SH-25E IT:H拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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