MT48V8M16LFB4-8:G
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Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8:G

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型号

MT48V8M16LFB4-8:G

utmel 编号

1616-MT48V8M16LFB4-8:G

商品类别

存储器

封装

54-VFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA

起订量

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MT48V8M16LFB4-8:G
MT48V8M16LFB4-8:G Micron Technology Inc. IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA

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MT48V8M16LFB4-8:G详情

Micron Technology Inc. MT48V8M16LFB4-8:G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    54-VFBGA

  • 引脚数

    54

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    2 (1 Year)

  • 终止次数

    54

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡银铜

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电压 - 供电

    2.3V~2.7V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    2.5V

  • 端子间距

    0.8mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    MT48V8M16

  • 引脚数量

    54

  • 工作电源电压

    2.5V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.7V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.3V

  • 内存大小

    128Mb 8M x 16

  • 端口的数量

    1

  • 电源电流

    100mA

  • 时钟频率

    125MHz

  • 访问时间

    7ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16b

  • 组织结构

    8MX16

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    16

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    15ns

  • 地址总线宽度

    14b

  • 密度

    128 Mb

  • 待机电流-最大值

    0.00045A

  • I/O类型

    COMMON

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    1248FP

  • 交错突发长度

    1248

  • 长度

    8mm

  • 座位高度(最大)

    1mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

MT48V8M16LFB4-8:G拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
M29W800DB70N6E

Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

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MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

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M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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