Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E IT:B
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MT49H32M18CSJ-25E IT:B
1616-MT49H32M18CSJ-25E IT:B
存储器
144-TFBGA
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DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin FBGA
1最小包装量--
MT49H32M18CSJ-25E IT:B详情
Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E IT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
9 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
144
附加功能
自动刷新
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
JESD-30代码
R-PBGA-B144
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
576Mb 32M x 18
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
15ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32MX18
内存宽度
18
记忆密度
603979776 bit
长度
18.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
11mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT49H32M18CSJ-25E IT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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