Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E:B
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MT49H64M9FM-25E:B
1616-MT49H64M9FM-25E:B
存储器
144-TFBGA
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DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144-Pin mBGA Tray
1最小包装量--
MT49H64M9FM-25E:B详情
Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
144
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2015
JESD-609代码
e0
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
144
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
235
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
144
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.5/1.81.82.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
576Mb 64M x 9
端口的数量
1
访问时间
15ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
9b
组织结构
64MX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
地址总线宽度
25b
密度
576 Mb
待机电流-最大值
0.055A
最高频率
400MHz
I/O类型
COMMON
顺序突发长度
248
长度
18.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT49H64M9FM-25E:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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