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Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT:B

Name: MT52L256M64D2PP-107 WT:B
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT52L256M64D2PP-107 WT:B
Availability: InStock
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对比

型号

MT52L256M64D2PP-107 WT:B

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT52L256M64D2PP-107 WT:B

商品类别

存储器

封装

253-VFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPDDR3 SDRAM 16G-Bit 256Mx64 1.2V 253-Pin VFBGA

起订量

--最小包装量--

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MT52L256M64D2PP-107 WT:B Micron Technology Inc. DRAM Chip Mobile LPDDR3 SDRAM 16G-Bit 256Mx64 1.2V 253-Pin VFBGA

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MT52L256M64D2PP-107 WT:B详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PP-107 WT:B重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

253-VFBGA
表面安装

YES
Memory Types

Volatile
操作温度

-30°C~85°C TC
包装

Tray
零件状态

活跃
终止次数

216
附加功能

AUTO/SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM
电压 - 供电

1.2V
端子位置

BOTTOM
终端形式

BALL
功能数量

1
电源电压

1.2V
端子间距

0.4mm
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

S-PBGA-B216
电源电压-最大值(Vsup)

1.3V
电源电压-最小值(Vsup)

1.14V
内存大小

16Gb 256M x 64
端口的数量

1
操作模式

SYNCHRONOUS
时钟频率

933MHz
内存格式

DRAM
组织结构

256MX64
内存宽度

64
记忆密度

17179869184 bit
访问模式

单库页面突发
长度

12mm
座位高度(最大)

0.8mm
宽度

12mm

0个相似型号

MT52L256M64D2PP-107 WT:B拓展信息

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