Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
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MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
1616-MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR
存储器
200-VFBGA
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IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
1最小包装量--
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR详情
Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-VFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
电压 - 供电
1.1V
内存大小
32Gb 1G x 32
时钟频率
1866MHz
内存格式
DRAM
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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