Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
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MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
1616-MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
存储器
200-WFBGA
大陆
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IC DRAM 12G 1600MHZ
1最小包装量--
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR详情
Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~105°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.1V
内存大小
12Gb 384M x 32
时钟频率
1600MHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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