MT53B512M32D2NP-062 WT:C
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Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT:C

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型号

MT53B512M32D2NP-062 WT:C

utmel 编号

1616-MT53B512M32D2NP-062 WT:C

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA

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MT53B512M32D2NP-062 WT:C
MT53B512M32D2NP-062 WT:C Micron Technology Inc. DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA

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MT53B512M32D2NP-062 WT:C详情

Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    111 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-WFBGA

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C~85°C TC

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e1

  • 零件状态

    Obsolete

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 电压 - 供电

    1.1V

  • Reach合规守则

    compliant

  • 内存大小

    16Gb 512M x 32

  • 时钟频率

    1600MHz

  • 内存格式

    DRAM

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

MT53B512M32D2NP-062 WT:C拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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