Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT:C
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MT53B512M32D2NP-062 WT:C
1616-MT53B512M32D2NP-062 WT:C
存储器
200-WFBGA
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DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V 200-Pin WFBGA
1最小包装量--
MT53B512M32D2NP-062 WT:C详情
Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 WT:C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
111 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
Obsolete
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
电压 - 供电
1.1V
Reach合规守则
compliant
内存大小
16Gb 512M x 32
时钟频率
1600MHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
符合RoHS标准
MT53B512M32D2NP-062 WT:C拓展信息
Micron Technology Inc.
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