Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
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MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
1616-MT53B768M32D4NQ-053 WT:B
存储器
200-VFBGA
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IC DRAM 24G 1866MHZ FBGA
1最小包装量--
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B详情
Micron Technology Inc. MT53B768M32D4NQ-053 WT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-VFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.1V
内存大小
24Gb 768M x 32
时钟频率
1866MHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53B768M32D4NQ-053 WT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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