Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
- 收藏
- 对比
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
1616-MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D
存储器
200-VFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
--最小包装量--
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D详情
Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-VFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
电压 - 供电
1.1V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
X-PBGA-B
内存大小
32Gb 1G x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1866MHz
内存格式
DRAM
组织结构
1GX32
内存宽度
32
记忆密度
34359738368 bit
RoHS状态
符合RoHS标准
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。