Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
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MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
1616-MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
存储器
376-WFBGA
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IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA
1最小包装量--
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E详情
Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
376-WFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
电压 - 供电
1.1V
内存大小
64Gb 1G x 64
时钟频率
2133MHz
内存格式
DRAM
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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