Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT:B
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MT53D256M64D4NY-046 XT:B
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IC DRAM 16G 2133MHZ
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MT53D256M64D4NY-046 XT:B详情
Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~105°C TC
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.1V
内存大小
16Gb 256M x 64
时钟频率
2133MHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53D256M64D4NY-046 XT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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