Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
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MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
1616-MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
存储器
200-WFBGA
大陆
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IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
1最小包装量--
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR详情
Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~125°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
电压 - 供电
1.1V
内存大小
16Gb 512M x 32
时钟频率
2133MHz
内存格式
DRAM
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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