Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
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MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
1616-MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR
存储器
556-VFBGA
大陆
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IC DRAM 48G 2133MHZ FBGA
1最小包装量--
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR详情
Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
556-VFBGA
供应商器件包装
556-VFBGA (12.4x12.4)
Memory Types
Volatile
操作温度
-30°C~85°C TC
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.1V
内存大小
48Gb 768M x 64
时钟频率
2133MHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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