Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR
- 收藏
- 对比
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR
1616-MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR
存储器
376-WFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
1最小包装量--
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR详情
Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
376-WFBGA
供应商器件包装
376-WFBGA (14x14)
厂商
Micron Technology Inc.
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Base Product Number
MT53E1G64
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1190
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
Mounting Styles
SMD/SMT
系列
-
操作温度
-25°C ~ 85°C (TC)
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
64Gbit
时钟频率
2.133 GHz
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
产品类别
DRAM
产品类别
DRAM
组织的记忆
1G x 64
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.







哦! 它是空的。