Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
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MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
1616-MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
存储器
200-WFBGA
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IC DRAM LPDDR4 WFBGA
--最小包装量--
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR详情
Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
0.6V 1.1V
内存大小
8Gb 256M x 32
时钟频率
2.133GHz
内存格式
DRAM
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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