Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
- 收藏
- 对比
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
1616-MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
存储器
200-WFBGA
大陆
立即发货

IC DRAM LPDDR4 WFBGA
--最小包装量--
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B详情
Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AAT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
11 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~105°C
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
0.6V 1.1V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
X-PBGA-B
内存大小
8Gb 256M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.866GHz
内存格式
DRAM
组织结构
256MX32
内存宽度
32
记忆密度
8589934592 bit
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.








哦! 它是空的。