Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
1616-MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
存储器
200-WFBGA
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IC DRAM LPDDR4 WFBGA
1最小包装量--
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B详情
Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 AIT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
11 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-WFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~95°C
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
200
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.8V NOM; TERM PITCH-MAX
电压 - 供电
0.6V 1.1V
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.1V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PBGA-B200
电源电压-最大值(Vsup)
1.17V
电源电压-最小值(Vsup)
1.06V
内存大小
8Gb 256M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
1.866GHz
内存格式
DRAM
组织结构
256MX32
内存宽度
32
记忆密度
8589934592 bit
筛选水平
AEC-Q100
访问模式
单库页面突发
长度
14.5mm
座位高度(最大)
0.8mm
宽度
10mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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