MT53E256M32D2DS-053 WT:B
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Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B

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型号

MT53E256M32D2DS-053 WT:B

utmel 编号

1616-MT53E256M32D2DS-053 WT:B

商品类别

存储器

封装

200-WFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8G-Bit 256M x 32 1.8V 200-Pin WFBGA

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron Technology Inc. DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8G-Bit 256M x 32 1.8V 200-Pin WFBGA

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B详情

Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-053 WT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    200-WFBGA

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -30°C~85°C

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    0.6V 1.1V

  • 内存大小

    8Gb 256M x 32

  • 时钟频率

    1.866GHz

  • 内存格式

    DRAM

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B拓展信息

M28W320FCB70N6E
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M29W800DB70N6E
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JS28F512M29EWHA
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M29W320EB70ZE6E
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M29W160EB70ZA6E
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MT48LC16M16A2P-7E:G
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M29W160EB70N6E
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M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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