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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥275.66138
10
¥260.057907
100
¥245.337645
500
¥231.450609
1000
¥218.349629
Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
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- 对比
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
1616-MT53E512M32D1ZW-046 IT:B
存储器
200-TFBGA
大陆
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IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B详情
Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 IT:B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-TFBGA
供应商器件包装
200-TFBGA (10x14.5)
厂商
Micron Technology Inc.
Package
Tray
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Base Product Number
MT53E512
DRAM Type
LPDDR4
MSL
MSL 3 - 168 hours
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1360
Manufacturer
美光技术
Brand
Micron
Maximum Clock Frequency
2.133 GHz
Maximum Operating Temperature
+ 95 C
Supply Voltage-Max
1.95 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Supply Voltage-Min
1.06 V
Mounting Styles
SMD/SMT
系列
-
操作温度
-40°C ~ 95°C (TC)
类型
SDRAM - LPDDR4
子类别
Memory & Data Storage
电压 - 供电
1.06V ~ 1.17V
内存大小
16Gbit
时钟频率
2.133 GHz
电源电流-最大值
59 mA
访问时间
3.5 ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32 bit
组织结构
512 M x 32
写入周期时间 - 字符、页面
18ns
产品类别
DRAM
产品类别
DRAM
组织的记忆
512M x 32
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
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Micron
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