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1

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10

￥581.563726
100

￥548.645026
500

￥517.589649
1000

￥488.292121

Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR

Name: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR
Price: 616.46 USD
Availability: InStock
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对比

型号

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

200-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

起订量

--最小包装量--

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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA

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MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

200-TFBGA
供应商器件包装

200-TFBGA (10x14.5)
厂商

Micron Technology Inc.
Package

Tape & Reel (TR)
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
Base Product Number

MT53E512
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000
Manufacturer

美光技术
Brand

Micron
RoHS

Details
Mounting Styles

SMD/SMT
系列

-
操作温度

-25°C ~ 85°C (TC)
包装

切割胶带
类型

SDRAM - LPDDR4
子类别

Memory & Data Storage
电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V
内存大小

16Gbit
时钟频率

2.133 GHz
访问时间

3.5 ns
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
写入周期时间 - 字符、页面

18ns
产品类别

DRAM
产品类别

DRAM
组织的记忆

512M x 32

0个相似型号

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR拓展信息

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