Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT:B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

556-TFBGA

供应商器件包装

556-TFBGA (12.4x12.4)

厂商

Micron Technology Inc.

Package

Tray

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Base Product Number

MT53E512

DRAM Type

Mobile LPDDR4

MSL

MSL 3 - 168 hours

RoHS

Details

Brand

Micron

Manufacturer

美光技术

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1360

Mounting Styles

SMD/SMT

系列

-

操作温度

-25°C ~ 85°C (TC)

包装

Tray

类型

SDRAM - LPDDR4

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V

内存大小

32Gbit

时钟频率

2.133 GHz

访问时间

3.5 ns

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

18ns

产品类别

DRAM

产品类别

DRAM

组织的记忆

512M x 64