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Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR

Name: MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: 1616-MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR
Availability: InStock
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对比

型号

MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR

品牌

Micron Technology Inc.

utmel 编号

1616-MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR

商品类别

存储器

封装

556-TFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

起订量

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MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR Micron Technology Inc. IC DRAM LPDDR4 32G 512MX64 FBGA

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MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR详情

技术参数

Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 WT:B TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

556-TFBGA
供应商器件包装

556-TFBGA (12.4x12.4)
厂商

Micron Technology Inc.
Package

Tape & Reel (TR)
Product Status

活跃
Memory Types

Volatile
Base Product Number

MT53E512
Mounting Styles

SMD/SMT
系列

-
操作温度

-25°C ~ 85°C (TC)
类型

SDRAM - LPDDR4
电压 - 供电

1.06V ~ 1.17V
内存大小

32Gbit
时钟频率

2.133 GHz
访问时间

3.5 ns
内存格式

DRAM
内存接口

Parallel
写入周期时间 - 字符、页面

18ns
组织的记忆

512M x 64

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