Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
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MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
1616-MT53E768M32D4DT-053 AAT:E
存储器
200-VFBGA
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IC DRAM LPDDR4 FBGA
--最小包装量--
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E详情
Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT:E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
200-VFBGA
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~105°C TC
包装
Tray
系列
Automotive, AEC-Q100
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
0.6V 1.1V
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
内存大小
24Gb 768M x 32
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
时钟频率
1.866GHz
内存格式
DRAM
组织结构
768MX32
内存宽度
32
记忆密度
25769803776 bit
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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