Micron Technology Inc. MT57V1MH18EF-6
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MT57V1MH18EF-6
1616-MT57V1MH18EF-6
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DDR SRAM, 1MX18, 3NS, CMOS, PBGA
1最小包装量--
MT57V1MH18EF-6详情
Micron Technology Inc. MT57V1MH18EF-6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
165
厂商
Micron Technology Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA165,11X15,40
Access Time-Max
3 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
MT57V1MH18EF-6
Clock Frequency-Max (fCLK)
167 MHz
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Micron Technology Inc
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
MICRON TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.62
Part Package Code
BGA
系列
*
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
165
JESD-30代码
R-PBGA-B165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.6 V
电源
1.5/1.8,2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.4 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.15 A
记忆密度
18874368 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR SRAM
待机电压-最小值
2.4 V
宽度
13 mm
长度
15 mm
MT57V1MH18EF-6拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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