Micron Technology Inc. N25Q008A11EF640E
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N25Q008A11EF640E
1616-N25Q008A11EF640E
存储器
SOIC
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2MX4 NOR FLASH PLASTIC IND TEMP PBF VPDFN 1.8V
1最小包装量--
N25Q008A11EF640E详情
Micron Technology Inc. N25Q008A11EF640E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOIC
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
1.7V~2V
基本部件号
N25Q008A11
内存大小
8Mb 1M x 8
时钟频率
108MHz
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
写入周期时间 - 字符、页面
8ms, 5ms
RoHS状态
ROHS3 Compliant
N25Q008A11EF640E拓展信息
Micron Technology Inc.
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