Micron Technology Inc. N25Q064A11EF640E
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N25Q064A11EF640E
1616-N25Q064A11EF640E
存储器
8-VDFN Exposed Pad
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MICRON N25Q064A11EF640EFlash Memory, 64 Mbit, 16M x 4bit, 108 MHz, SPI, DFN, 8 Pins
--最小包装量--
N25Q064A11EF640E详情
Micron Technology Inc. N25Q064A11EF640E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
引脚数
8
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
电压 - 供电
1.7V~2V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
N25Q064A11
工作电源电压
1.8V
电压
1.7V
界面
SPI, Serial
内存大小
64Mb 16M x 4
电源电流
20mA
时钟频率
108MHz
访问时间
8 ns
内存格式
FLASH
内存接口
SPI
组织结构
64MX1
写入周期时间 - 字符、页面
8ms, 5ms
地址总线宽度
1b
密度
64 Mb
同步/异步
Synchronous
页面尺寸
256B
高度
850μm
长度
6mm
宽度
5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
N25Q064A11EF640E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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