Micron Technology Inc. NAND01GR3B2BZA6E

包装/外壳

63-TFBGA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

63

Memory Types

Non-Volatile

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

63

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

1.7V~1.95V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NAND01G-A

引脚数量

63

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8V

电源电压-最大值(Vsup)

1.95V

电源电压-最小值(Vsup)

1.7V

内存大小

1Gb 128M x 8

电源电流

20mA

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

128MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

30ns

地址总线宽度

28b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

30 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

1K

行业规模

128K

页面尺寸

2Kwords

准备就绪/忙碌

YES

座位高度(最大)

1.05mm

长度

12mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant