Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E
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NAND01GR3B2CZA6E
1616-NAND01GR3B2CZA6E
存储器
63-TFBGA
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IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
--最小包装量--
NAND01GR3B2CZA6E详情
Micron Technology Inc. NAND01GR3B2CZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
63-TFBGA
引脚数
63
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
63
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
NAND01G-A
引脚数量
63
资历状况
不合格
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 128M x 8
电源电流
20mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
128MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
地址总线宽度
28b
密度
1 Gb
待机电流-最大值
0.00005A
访问时间(最大)
25000 ns
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
数据轮询
NO
拨动位
NO
命令用户界面
YES
扇区/尺寸数
1K
行业规模
128K
页面尺寸
2kB
准备就绪/忙碌
YES
长度
11mm
座位高度(最大)
1.05mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND01GR3B2CZA6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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