Micron Technology Inc. NAND01GW3B2CZA6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

63-TFBGA

引脚数

63

Memory Types

Non-Volatile

Current - Supply (Nom)

30mA

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2004

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

63

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

3V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.8mm

基本部件号

NAND01G-A

电源

3/3.3V

内存大小

1Gb 128M x 8

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

128MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

28b

密度

1 Gb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

25000 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

编程电压

3V

写入周期时间 - 最大值

25ms

数据轮询

NO

拨动位

NO

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.7V

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

1K

行业规模

128K

页面尺寸

2Kwords

准备就绪/忙碌

YES

长度

11mm

座位高度(最大)

1.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant