Micron Technology Inc. NAND02GR3B2DN6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

引脚数

48

供应商器件包装

48-TSOP

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 供电

1.7V~1.95V

基本部件号

NAND02G

工作电源电压

1.8V

界面

Parallel

最大电源电压

1.95V

最小电源电压

1.7V

内存大小

2Gb 256M x 8

电源电流

20mA

访问时间

45ns

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

地址总线宽度

8b

密度

2 Gb

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

RoHS状态

ROHS3 Compliant