Micron Technology Inc. NAND02GW3B2DN6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

引脚数

48

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2010

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

ECCN 代码

3A991.B.1.A

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.5mm

基本部件号

NAND02G

引脚数量

48

工作电源电压

3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.7V

内存大小

2Gb 256M x 8

电源电流

30mA

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

256MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

8b

密度

2 Gb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

25000 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

编程电压

3V

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

2K

行业规模

128K

页面尺寸

2kB

准备就绪/忙碌

YES

长度

18.4mm

座位高度(最大)

1.2mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant