Micron Technology Inc. NAND04GR3B2DN6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

引脚数

48

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 供电

1.7V~1.95V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.5mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NAND04G

引脚数量

48

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8V

电源电压-最大值(Vsup)

1.95V

电源电压-最小值(Vsup)

1.7V

内存大小

4Gb 512M x 8

电源电流

20mA

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

512MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

1b

密度

4 Gb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

25000 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

4K

行业规模

128K

页面尺寸

2Kwords

准备就绪/忙碌

YES

长度

18.4mm

座位高度(最大)

1.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant