Micron Technology Inc. NAND08GW3C2BN6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

引脚数

48

Memory Types

Non-Volatile

Current - Supply (Nom)

30mA

已出版

2009

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

DUAL

端子间距

0.5mm

基本部件号

NAND08G

电源

3/3.3V

内存大小

8Gb 1G x 8

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

1GX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

25ns

地址总线宽度

30b

密度

8 Gb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

20 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

4K

行业规模

256K

页面尺寸

2kB

准备就绪/忙碌

YES

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant