Micron Technology Inc. NAND08GW3F2AN6E
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NAND08GW3F2AN6E
1616-NAND08GW3F2AN6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP
1最小包装量--
NAND08GW3F2AN6E详情
Micron Technology Inc. NAND08GW3F2AN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
Reach合规守则
unknown
基本部件号
NAND08G
内存大小
8Gb 1G x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND08GW3F2AN6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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