NAND128W3A2BN6E
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Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E

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型号

NAND128W3A2BN6E

utmel 编号

1616-NAND128W3A2BN6E

商品类别

存储器

封装

48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MICRON NAND128W3A2BN6E Flash Memory, NAND, 128 MB, 16K x 8bit, TSOP, 48 Pins

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NAND128W3A2BN6E
NAND128W3A2BN6E Micron Technology Inc. MICRON NAND128W3A2BN6E Flash Memory, NAND, 128 MB, 16K x 8bit, TSOP, 48 Pins

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NAND128W3A2BN6E详情

Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Gold, Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)

  • 引脚数

    48

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2004

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终端

    SMD/SMT

  • ECCN 代码

    3A991.B.1.A

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 电压 - 额定直流

    3V

  • 电压 - 供电

    2.7V~3.6V

  • 基本部件号

    NAND128-A

  • 引脚数量

    48

  • 电压

    3V

  • 内存大小

    128Mb 16M x 8

  • 电源电流

    20mA

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    50ns

  • 地址总线宽度

    24b

  • 密度

    128 Mb

  • 同步/异步

    Asynchronous

  • 字长

    8b

  • 页面尺寸

    528B

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E.

NAND128W3A2BN6E拓展信息

M28W320FCB70N6E
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Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E
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Micron Technology Inc.

JS28F512M29EWHA
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Micron Technology Inc.

M29W320EB70ZE6E
M29W320EB70ZE6E

Micron Technology Inc.

M29W160EB70ZA6E
M29W160EB70ZA6E

Micron Technology Inc.

MT48LC16M16A2P-7E:G
MT48LC16M16A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

M29W160EB70N6E
M29W160EB70N6E

Micron Technology Inc.

M29W160ET70N6E
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PC28F00AM29EWHA
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