Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E
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NAND128W3A2BN6E
1616-NAND128W3A2BN6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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MICRON NAND128W3A2BN6E Flash Memory, NAND, 128 MB, 16K x 8bit, TSOP, 48 Pins
--最小包装量--
NAND128W3A2BN6E详情
Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2004
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
3A991.B.1.A
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 额定直流
3V
电压 - 供电
2.7V~3.6V
基本部件号
NAND128-A
引脚数量
48
电压
3V
内存大小
128Mb 16M x 8
电源电流
20mA
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
24b
密度
128 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
页面尺寸
528B
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND128W3A2BN6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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