Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE
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NAND128W3A2BNXE
1616-NAND128W3A2BNXE
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
1最小包装量--
NAND128W3A2BNXE详情
Micron Technology Inc. NAND128W3A2BNXE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 额定直流
3.3V
电压 - 供电
2.7V~3.6V
基本部件号
NAND128
工作电源电压
3V
电压
3.3V
内存大小
128Mb 16M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
24b
密度
128 Mb
页面尺寸
528B
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND128W3A2BNXE拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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