Micron Technology Inc. NAND128W3AABN6E
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NAND128W3AABN6E
1616-NAND128W3AABN6E
存储器
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
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IC FLASH 128M PARALLEL 48TSOP
--最小包装量--
NAND128W3AABN6E详情
Micron Technology Inc. NAND128W3AABN6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
ECCN 代码
3A991.B.1.A
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8542.32.00.51
电压 - 额定直流
3V
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
48
电压
3V
内存大小
128Mb 16M x 8
操作模式
ASYNCHRONOUS
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
组织结构
16MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
24b
密度
128 Mb
访问时间(最大)
35 ns
长度
18.4mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND128W3AABN6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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