Micron Technology Inc. NAND256R3A2BZA6E
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NAND256R3A2BZA6E
1616-NAND256R3A2BZA6E
存储器
55-TFBGA
大陆
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SLC NAND Flash Parallel 1.8V 256M-bit 32M x 8 12us 55-Pin VFBGA Tray
--最小包装量--
NAND256R3A2BZA6E详情
Micron Technology Inc. NAND256R3A2BZA6E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55-TFBGA
引脚数
55
供应商器件包装
55-VFBGA (8x10)
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
1.7V~1.95V
基本部件号
NAND256-A
工作电源电压
1.8V
界面
Parallel
最大电源电压
1.95V
最小电源电压
1.7V
内存大小
256Mb 32M x 8
电源电流
15mA
访问时间
50ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
地址总线宽度
25b
密度
256 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
8b
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND256R3A2BZA6E拓展信息
Micron Technology Inc.
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Micron
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