Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZA6E

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

55-TFBGA

引脚数

48

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

55

ECCN 代码

3A991.B.1.A

端子表面处理

锡银铜

HTS代码

8542.32.00.51

电压 - 额定直流

3V

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

NAND256-A

引脚数量

55

JESD-30代码

R-PBGA-B55

电压

3V

内存大小

256Mb 32M x 8

电源电流

20mA

内存格式

FLASH

内存接口

Parallel

组织结构

32MX8

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

50ns

地址总线宽度

25b

密度

256 Mb

待机电流-最大值

0.00005A

访问时间（最大）

35 ns

同步/异步

Asynchronous

字长

8b

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

2K

行业规模

16K

页面尺寸

512words

准备就绪/忙碌

YES

长度

10mm

座位高度(最大)

1.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant