Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZA6F TR
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NAND256W3A2BZA6F TR
1616-NAND256W3A2BZA6F TR
存储器
55-TFBGA
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IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA
--最小包装量--
NAND256W3A2BZA6F TR详情
Micron Technology Inc. NAND256W3A2BZA6F TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
55-TFBGA
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
2.7V~3.6V
基本部件号
NAND256
内存大小
256Mb 32M x 8
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
50ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NAND256W3A2BZA6F TR拓展信息
Micron Technology Inc.
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